Numéro de produit du fabricant:
TSM2N60SCW RPG
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM2N60SCW RPG-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223
Description détaillée:
N-Channel 600 V 600mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventaire:
12897928
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SOUMETTRE
TSM2N60SCW RPG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
600mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
5Ohm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
435 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-223
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base
TSM2
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
TSM2N60SCW RPGCT-DG
TSM2N60SCWRPGTR
TSM2N60SCWRPGCT
TSM2N60SCW RPGDKR
TSM2N60SCWRPGDKR
TSM2N60SCW RPGTR
TSM2N60SCW RPGCT
TSM2N60SCW RPGTR-DG
TSM2N60SCW RPGDKR-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STN3N45K3
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
12537
NUMÉRO DE PIÈCE
STN3N45K3-DG
PRIX UNITAIRE
0.34
TYPE DE SUBSTITUT
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